化学机械CMP抛光液
化学机械抛光（CMP）是集成电路制造过程中实现全局平坦化的关键工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要材料，目前公司产能达到1000吨/年。根据抛光对象不同，公司化学机械抛光液主要包括用于传统硅基和新型第三代化合物半导体的产品。硅基抛光液包括多晶硅衬底、铜及阻挡层、层间介电材料和浅沟槽隔离等产品。第三代化合物半导体的抛光液主要是用于碳化硅、氮化镓衬底的抛光。
• 硅衬底抛光液：用于对硅衬底进行抛光，根据需求可细分为硅粗抛和硅精抛抛光液。
• 碳化硅、氮化镓抛光液：主要用于对碳化硅、氮化镓衬底进行精抛。
• 浅沟槽隔离抛光液：根据客户需求可以提供不同选择比产品。
• 层间介质抛光液：根据客户需求可以提供不同去除速率产品。
